请输入或粘贴题目内容
搜题
拍照、语音搜题，请扫码下载APP
题目内容
（请给出正确答案）
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,
已知管子参数
设λ=0,试设计该电路.
答案
轻松一刻：免费趣味测试
更多“一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计”相关的问题
第3题
一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示，试问：
(1) 它是N沟道还是P沟道的FET？
(2) 它的夹断电压Vp和饱和漏极电流IDSS各是多少？
第5题
集成施密特触发器和4位同步二进制加法器74LVC161组成的电路如图题9.2.4所示。
(1)分别说明图中两部分电路的功能;
(2)画出图中74LVC161组成的电路的状态图;
(3)画出图中va、vb和v0的对应波形。
第6题
基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ.由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常工作.试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中
(1)哪些电路的输入电阻较大;
(2)哪些电路的输出电阻较小
(3)哪个电路的电压放大倍数最大.
第7题
JK触发器组成图3.3(a)所示电路.试分析电路的逻辑功能.已知电路CLK和A的输入波形如图3.3(b)所示.设Q输出初态为0,画出Q的波形.
第8题
一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：
(1)该管是耗尽型还是增强型？
(2)是N沟道还是P沟道FET？
(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压V？其值等于多少？
第9题
通用型运放F747的内部电路如图P4.14所示,试分析:
(1)偏置电路由哪些元件组成？基准电流约为多少？
(2)哪些是放大管,组成几级放大电路,每级各是什么基本电路？
(3)T19、T20和R8组成的电路的作用是什么？
第10题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
