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[主观题]

CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有

CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有

MOS管的|VT|=0.8V,λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2,(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2,(W/L)T2·T3=30,VDD=5V。试用SPICE分析:(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1),并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。

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更多“CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有”相关的问题

第1题

共源-共基放大电路如图题5.9.2所示。设T1管的参数为:Kn=300μA/V2,W=240μm,L=2μm,VT
N=-4V,λ=0.01。T2管的β=100。试求电路的静态工作点,电压增益和输入电阻。

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第2题

共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导
共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导

表示式,并说明T4管的作用;(2)若没有T2管,增益Ai如何变化?

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第3题

共基电路的交流通路如图题6.5.2所示,其中。BJT的,fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电路源电压

共基电路的交流通路如图题6.5.2所示,其中。BJT的,fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电路源电压增益的上限频率fH

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第4题

电压放大电路 模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示,设输出开路电压增益Aro=10。试分别计
电压放大电路 模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示,设输出开路电压增益Aro=10。试分别计

算下列条件下的源电压增益Aro=v0/vn

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第5题

电路如图题4.4.1a(主教材图4.4.6a)所示。已知Re1=10千欧,Rs1=Rm=0.5千欧,Rg1=
电路如图题4.4.1a(主教材图4.4.6a)所示。已知Re1=10千欧,Rs1=Rm=0.5千欧,Rg1=

165千欧,Rg2=35千欧,VTS=0.8V,Kn=1mA/V2, 场效应管的输出电阻rds=∞(λ=0),电路静态工作点处VGS=1.5V。试求图题4.4.1a所示共源极电路的小信号电压增益Ar=v0/vi、源电压增益Ads=v0/ve、输入电阻Ri和输出电阻R0

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第6题

一种简单的D锁存器晶体管级电路如图题5.3.2所示,试列出该电路的功能表。这种电路广泛用于CMOS静
态随机存储器(SRAM)中作为基本存储单元。

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第7题

场效应管共源极电路如图题4.11.3所示,其中VDD=20V,Rg1=300千欧,Rg2=15千欧,,Rg3
=2M,Rd=10千欧,R=2千欧,Cb1=1μF,Cb2=1μF,RL=100千欧,。试运用SPICE进行如下分析计算:(1)求电路的静态工作点;(2)输入vi频率为1kHz,幅值为10mV的正弦信号,观察vi及v0的波形;(3)求小信号电压增益,电流增益,输入电阻及输出电阻。

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第8题

共源电路如图题4.11.1示。电路参数为:VDD=20V,Rg1=500千欧,Rg2=20千欧,Rg3=5.1
M,Rd=30千欧,R1=500千欧,R2=10千欧,C1=0.1μF,C2=4.7μF,C=100μF,且外接负载RL=50 kSl。(1 )求静态工作点;(2)设输入信号vi为f=1kHz,幅值Vim=10mV的正弦电压,试观测vi,v0波形;(3)求电压传输特性v0=f(vi)。

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第9题

用CMOS电路74HCT02或非门构成消除机械开关抖动影响的电路如图题5.2.2所示,试画出在开关S由位置
A到B时Q和 端的波形。如改用TTL电路74LS02实现,R1、R2取值的大致范围为多少?整个电路的功耗会发生什么变化?

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第10题

共漏放大电路如图LP4-32所示.(1)画出交流等效电路;(2)推导表示式.设rds和RL的作用忽略
共漏放大电路如图LP4-32所示.(1)画出交流等效电路;(2)推导表示式.设rds和RL的作用忽略

共漏放大电路如图LP4-32所示.(1)画出交流等效电路;(2)推导表示式.设rds和RL的作用忽略不计.

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